GIGABYTE 78LMT-USB3

GIGABYTE GA-78LMT-USB3

• Podpora procesorů série AMD AM3+ FX / AM3 Phenom™ II, Athlon™ II
• Integrovaná grafika ATI Radeon HD 3000 (DirectX10)
• PCI-E 2.0 ×16 sběrnice pro osazení výkonnou grafickou kartou
• GIGABYTE 3x USB Power s On/Off Charge USB portů
• 4+1fázové napájení procesoru AMD, podpora procesorů s TDP 125 W
• 4 USB 3.0 with superspeed transfer rates of up to 5 Gbps
• Integrated HDMI/DVI/D-sub for Full HD 1080 contents playback
• Hi-def zvuk s odstupem signál/šum 108 dB při přehrávání Blu-ray/DVD
• Technologie Hybrid EFI s DualBIOSem a podporou pevných disků 3TB+
• Technologie spol. GIGABYTE Ultra Durable 4 Classic s návrhem z vysoce kvalitních komponent

Technologie GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic

Ochrana proti vlhkosti
Nová technologie PCB na bázi skelných vláken redukuje množství prostoru mezi vazbou tkaniny, což vlhkosti ztěžuje penetraci ve srovnání s tradičními DPS základních desek. To poskytuje výrazně lepší ochranu před zkratem a selháním systému, způsobenými vlhkostí a navlhnutím.

Elektrostatická ochrana
Všechny základní desky GIGABYTE Ultra Durable™ 4 používají vysoce kvalitní IC mikročipy, které jsou vybaveny vyšší ochranou proti elektrostatickému vybíjení (ESD). Základní desky GIGABYTE Ultra Durable™ 4 používají IC s až třikrát větší odolností proti ESD ve srovnání s tradičními IC. Toto napomáhá lépe chránit základní desku, její součásti a PC obecně proti potenciálnímu poškození způsobenému statickou elektřinou, což je běžná hrozba pro dnešní počítače.

Ochrana proti poruše napájení
Pro případ, že se u vás doma z jakéhokoliv důvodu vyskytne náhlý výpadek proudu, jsou základní desky GIGABYTE Ultra Durable™ 4 vybaveny tak, aby v takovém případě nebyly fatálně poškozeny.Všechny základní desky GIGABYTE Ultra Durable™ 4 používají patentovanou technologii DualBIOS™. Poskytují bezchybnou ochranu BIOSu vaší základní desky, která v případě kritického výpadku proudu automaticky načte váš BIOS ze záložní verze.

Ochrana před vysokou teplotou
GIGABYTE používá pevné kondenzátory a MOSFETy s nižším RDS(on), které které jsou navrženy pro práci za vyšších teplot s gaarancí životnosti až 50000 hodin.